PN结是功率半导体的基础，能够设计出性能稳定优异、满足不同应用要求的不同类型的PN，是所有功率半导体器件设计及工艺水平的直接体现。
1、PN结基础
在纯净的硅晶体中掺入五价元素如磷，使之取代晶格中硅原子的位置，形成N型半导体。N型半导体中，多子为自由电子，少子为空穴。
在纯净的硅晶体中掺入三价元素如硼，使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，空穴称为多数载流子，简称多子。自由电子为少数载流子，简称少子。
图1：N和P型半导体
P型半导体与N型半导体相互接触时，其交界区域称为PN结。物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。
P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在PN结两侧的积累，电荷的积累形成电场，电场方向正好阻止扩散的进行，但有利于电荷的漂移运动。在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡。
由于P区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合，而N区中的电子向P区扩散后与P区中的空穴复合，PN结两侧区域自由载流子数减少而形成耗尽层，也称为高阻层，耗尽层中没有多子，也没有少子，P区一侧出现负离子区，N区出现正离子区，称为空间电荷区。
PN结外加正向电压时，耗尽层变小到几乎可以忽略。外加反向电压时，耗尽层变宽。
可以看到，内建的电场产生的电压和外加电压相等时，PN结内部才能达到平衡，对于确定的PN结，耗尽层宽度和电压成正比，因此耗尽层是PN结承受电压最核心的因素。
图2：PN结及耗尽层形成
2、高压超结型功率MOSFET
高压的功率MOSFET通常采用平面型结构，其中，厚的低掺杂的N-的外延层，即epi层，用来保证具有足够的击穿电压，低掺杂的N-的epi层的尺寸越厚，耐压的额定值越大，但是其导通电阻也急剧的增大。导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，这样就降低的电流的额定值。
图3：平面结构高压MOSFET
为了得到一定的导通电阻值，就必须增大硅片的面积，成本随之增加。如果类似于IGBT引入少数载流子导电，可以降低导通压降，但是少数载流子的引入会降低工作的开关频率，并产生关断的电流拖尾，从而增加开关损耗。
高压的功率MOSFET的外延层对总的导通电阻起主导作用，要想保证高压的功率MOSFET具有足够的击穿电压，同时，降低导通电阻，最直观的方法就是：
（1）在器件关断时，让低掺杂的外延层保证要求的耐压等级；
（2）在器件导通时，形成一个高掺杂N+区，作为功率MOSFET导通时的电流通路。
也就是将反向阻断电压与导通电阻功能分开，分别设计在不同的区域，就可以实现上述的要求。
基于超结SuperJunction的内建横向电场的高压功率MOSFET就是基本这种想法设计出的一种新型器件。内建横向电场的高压MOSFET的剖面结构及高阻断电压低导通电阻的示意图如图4所示。英飞凌最先将这种结构生产出来，并为这种结构的MOSFET设计了一种商标CoolMOS，这种结构从学术上来说，通常称为超结型功率MOSFET。
垂直导电N+区夹在两边的P区中间，当MOSFET关断时，形成两个反向偏置的PN结：P和垂直导电N+、P+和外延epi层N-。P和垂直导电N+形成PN结反向偏置，PN结耗尽层增大，并建立横向水平电场；同时，P+和外延层N-形成PN结也是反向偏置形，产生宽的耗尽层，并建立垂直电场。
由于垂直导电N+区掺杂浓度高于外延层N-的掺杂浓度，而且垂直导电N+区两边都产生横向水平电场，这样垂直导电的N+区整个区域基本上全部都变成耗尽层，这样的耗尽层具有非常高的纵向的阻断电压，因此，器件的耐压就取决于高掺杂P+区与低掺杂外延层N-区的耐压。
横向电场的产生，同时也将外延层N-的三角形电场变成梯形电场，因此可以减少外延层N-厚度，提高耐压的同时，降低导通电阻。
从上面分析可知：超结结构必须严格控制P+区与外延层N-区的浓度和宽度，否则二侧不对称导致中间电荷不平衡，就会影响超结结构的耐压。外延层N-掺杂浓度越高，影响越大。
当MOS导通时，栅极和源极的电场将栅极下的P区反型，在栅极下面的P区产生N型导电沟道，同时，源极区的电子通过导电沟道进入垂直的N+区，中和N+区的正电荷空穴，从而恢复被耗尽的N+型特性，因此导电沟道形成，垂直N+区掺杂浓度高，具有较低的电阻率，因此导通电阻低。
图4：内建横向电场的SuperJunction结构
比较平面结构和沟槽结构的功率MOSFET，可以发现：超结型结构实际是综合了平面型和沟槽型结构两者的特点，是在平面型结构中开一个低阻抗电流通路的沟槽，因此具有平面型结构的高耐压和沟槽型结构低电阻的特性。
内建横向电场的高压超结型结构与平面型结构相比较，同样面积的硅片可以设计更低的导通电阻，因此具有更大的额定电流值。由于要开出N+沟槽，它的生产工艺比较复杂，雪崩能量不容易控制。
目前N+沟槽主要有两种方法直接制作：
(1)、通过一层一层的外延生长得到N+沟槽；
(2)、直接开沟槽填充。
前者工艺相对的容易控制，但工艺的程序多，成本高；后者成本低，但不容易保证沟槽内性能的一致性。
3、超结型结构的工作原理
3.1、关断状态
从图5中可以看到，垂直导电N+区夹在两边的P区中间，当MOS关断时，也就是G极的电压为0时，横向形成两个反向偏置的PN结：P和垂直导电N+、P+和外延epi层N-。
栅极下面的的P区不能形成反型层产生导电沟道，左边P和中间垂直导电N+形成PN结反向偏置，右边P和中间垂直导电N+形成PN结反向偏置，PN结耗尽层增大，并建立横向水平电场。
当中间的N+的渗杂浓度和宽度控制得合适，就可以将中间的N+完全耗尽，如图5(b)所示，这样在中间的N+就没有自由电荷，中间的横向电场极高，只有外部电压大于内部的横向电场，才能将此区域击穿，所以，这个区域的耐压极高，远大于外延层的耐压，功率MOSFET管的耐压主要由外延层来决定。
(a) 建立耗尽层 (b) 完全耗尽
图5：横向电场及耗尽层
注意到，P+和外延层N-形成PN结也是反向偏置形，有利于产生更宽的耗尽层，增加垂直电场。
2.2、开通状态
当G极加上驱动电压时，在G极的表面将积累正电荷，同时，吸引P区的电子到表面，将P区表面空穴中和，在栅极下面形成耗尽层，如图6示。
随着G极的电压提高，栅极表面正电荷增强，进一步吸引P区电子到表面，这样，在G极下面的P型的沟道区中，积累负电荷，形成N型的反型层。
同时，由于更多负电荷在P型表面积累，一些负电荷将扩散进入原来完全耗尽的垂直的N+，横向的耗尽层越来越减小，横向的电场也越来越小。
G极的电压进一步提高，P区更宽范围形成N型的反型层，最后，N+区域回到原来的高渗杂的状态，这样就形成的低导通电阻的电流路径，如图6(c)所示。
(a) 沟道建立 (b) 形成反型层
(c) 完全导通
图6：超结型导通过程
另外还有一种介于平面和超结型结构中间的类型，这种结构由于内部的P区被N-外延层包围，也称为P型浮岛结构，虽然电流密度低于超结型，但高于普通的平面工艺，而且抗雪崩能力强于超结结构。
图7：介于平面和超结型结构中间的类型
P区浮岛结构工作原理：内部浮岛结构的P区和N-外延层交接处形成耗尽层，将N-外延层的三角形电场在中间的位置提升，因此也就提高了耐压，这样可以用相对较薄的N-外延层，降低导通电阻。P型浮岛结构的数量越多，耐压越高，但成本增加。
制作过程也是使用多次外延，但是远少于超结结构，而且浮岛结构P型的掺杂浓度控制也不象超结那么严格，只要保证在反向偏压下不完全耗尽就可以，因此，工艺成本低于超结结构；另外，正向导通时，P型浮岛浮空，不会向N-外延层注入非平衡少子，二极管的特性也好于超结结构。
名词解释
本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。
杂质半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。
P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素如硼，使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，空穴称为多数载流子，简称多子。自由电子为少数载流子，简称少子。
N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素如磷，使之取代晶格中硅原子的位置，形成N型半导体。N型半导体中，多子为自由电子，少子为空穴。
PN结：P型半导体与N型半导体相互接触时，其交界区域称为PN结。
空间电荷区：PN结的耗尽层中，没有多子，也没有少子，P区一侧出现负离子区，N区出现正离子区，称为空间电荷区。耗尽层具有高的阻抗。
本征激发：当半导体从外界获得一定的能量受到激发，电子从价带顶端跃迁到导带底端，而产生出自由电子和自由空穴的现象。激发的能量如光照、温升、电磁场等。
复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。
平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。
非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。
平均自由程：对于半导体中的载流子，相邻两次碰撞之间的平均距离，即称为平均自由程，其典型的数值为10cm。
平均自由时间：对于半导体中的载流子，在相邻两次碰撞之间的平均时间，即称为载流子的平均自由时间Mean free time，典型的数值为1ps。
载流子注入：半导体通过外界作用而产生非平衡载流子的过程称作载流子注入carrier ejection。当注入载流子浓度与热平衡时多数载流子浓度相比很小时，多数载流子浓度基本不变，而少数载流子浓度近似等于注入载流子浓度，这通常称作小注入情况；若注入载流子浓度可与多数载流子浓度相比，则称作大注入情况。
载流子寿命：非平衡载流子在复合前的平均生存时间，是非平衡载流子寿命lifetime of carriers的简称。